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1、治愈非易失性存储器单元的隧穿电介质的结构和方法
[简介]： 提供治愈非易失性存储器单元的隧穿电介质的结构和方法。半导体器件包括存储器单元（18）的阵列（12）。每个存储器单元包括隧穿电介质（26）、包括第一电流电极（28）和第二电流电极（30）的阱区域、以及控制栅极（20）。第一和第二电流...
2、治愈非易失性存储器单元的隧穿电介质的结构和方法
[简介]： 一种忆容器装置包含一对相对导电电极。包含电介质内的移动掺杂剂的半导电材料及移动掺杂剂势垒电介质材料接纳于所述对相对导电电极之间。所述半导电材料及所述势垒电介质材料相对于彼此具有至少由至少一种不同原子元素来...
3、忆容器装置、场效应晶体管装置、非易失性存储器阵列及编程方法
[简介]： 一些实施例包括具有存储器单元的设备及方法，所述存储器单元具有第一电极、第二电极及位于所述第一与第二电极之间的电介质。所述电介质可经配置以允许所述存储器单元由所述第一电极的材料的一部分在所述电介质中形成导电...
4、具有电介质存储器元件的存储器单元
[简介]： 本套资料涉及半导体电荷捕捉存储器领域，主要内容为一种具有双层电介质电荷捕获层的DC-SONOS非易失性存储器，包括具有沟道表面的沟道的半导体衬底，与沟道邻近的源端和漏端；栅极；介于栅极和沟道表面之间的介电叠层；以及位于栅极...
5、一种具有双层电介质电荷捕获层的DC-SONOS存储器及其制备方法
[简介]： 一些实施例包括具有彼此以电介质材料隔开的垂直堆叠式电荷捕获区的存储器单元。所述电介质材料可包含高k材料。所述电荷捕获区中的一者或一者以上可包含金属材料。所述金属材料可作为例如纳米点的多个离散隔离岛状物而存在...
6、存储器单元、电子系统、形成存储器单元的方法及对存储器单元进行编程的方法
[简介]： 本文中描述垂直晶体管相变存储器及处理相变存储器的方法。一种或一种以上方法包含：在垂直晶体管的至少一部分上形成电介质；在所述电介质上形成电极；及在所述电极的一侧的一部分上且在所述电介质的一侧的一部分上形成沿着...
7、垂直晶体管相变存储器
[简介]： 一种含有具有垂直磁各向异性膜的数据记录层的磁存储器。该磁存储器100，包括：具有垂直磁各向异性的磁化固定层50a、50b，磁化固定层50a、50b的磁化方向是固定的；层间电介质60；形成在磁化固定层50a、50b和层间电介质...
8、含有具有垂直磁各向异性膜的数据记录层的磁存储器
[简介]： 一种相变存储器的制造方法，包括：提供衬底，在衬底上形成绝缘层，绝缘层中形成多个露出衬底的孔洞；在孔洞中形成PN二极管，PN二极管未完全填满孔洞，从而形成PN二极管及绝缘层围成的第一开口；在PN二极管和绝缘层的上表面沉积...
9、相变存储器的制造方法
[简介]： 本套资料揭示存储器阵列及其形成方法。一个此种存储器阵列具有邻近于分离的大致垂直的邻近半导体结构形成的存储器单元串，其中所述分离的半导体结构串联耦合相应串的存储器单元。对于一些实施例，可由形成于单个开口中的电介...
10、具有大致垂直的邻近半导体结构的存储器阵列及其形成
[简介]： 本套资料描述交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法以及写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法。在一个实施例中，交叉点存储器单元包含：字线，其沿第一方向延伸；位线，其沿不...
11、交叉点存储器单元、非易失性存储器阵列、读取存储器单元的方法、编程存储器单元的方法、写入到存储器单元及从存储器单元读取的方法，及计算机系统
[简介]： 一些实施例包括含有浮动主体及二极管的存储器单元。所述二极管可为具有掺杂为与所述浮动主体相同的导电性类型的区段的选通二极管，且所述选通二极管的此些区段可电连接到所述浮动主体。所述浮动主体可邻近沟道区域，且通过...
12、存储器单元及形成存储器单元的方法
[简介]： 半导体封装包括：电介质层、通路层、传导层、管芯和底部填充层。所述电介质层具有第一侧面以及相对的电介质层第二侧面。多个通孔从所述电介质层第一侧面延伸穿过所述电介质层到所述电介质层第二侧面。多个焊料球布置在所述电...
13、高速存储器封装
[简介]： 一种形成磁电子器件的方法，包括：形成围绕磁位的电介质材料；以不暴露所述磁位的方式，蚀刻所述电介质材料以在所述磁位上限定开口，所述开口具有侧壁；在所述电介质材料上方、包括在所述侧壁上方沉积包敷材料的覆盖层；通过溅...
14、在磁存储器中的被包敷的导线的结构及制造方法
[简介]： 在一些实施例中，一种存储器单元包括：晶体管栅极，其通过栅极电介质而与沟道区域间隔；源极区域，其位于所述沟道区域的一侧上；及漏极区域，其位于所述沟道区域的与源极区域相反的一侧上。所述沟道区域具有邻近于漏极区域的相...
15、存储器单元、形成存储器单元的方法及形成经编程的存储器单元的方法
[简介]： 本套资料提供一种在半导体层12上制造半导体器件10的方法。该方法包括：在半导体层12上方形成选择栅极电介质层14；在选择栅极电介质层12上方形成选择栅极层16；以及通过去除选择栅极层中的至少一部分来形成选择栅...
16、制造用于制造*栅极非易失性存储器单元的半导体结构的方法
[简介]： 本套资料提供一种具有浮动栅的非易失性存储器及其形成方法，其中存储器包括复数个存储单元，其中，每一个存储单元包括：一衬底，在该衬底上的一源区、一漏区和两隔离区；一遂穿电介质层，形成于所述衬底表面；复数个浮动栅，形成于...
17、具有浮动栅的非易失性存储器及其形成方法
[简介]： 本套资料涉及相变随机存取存储器的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底，半导体衬底上至少具有存储器区和外围电路区和与之相连的多根多晶硅栓塞；刻蚀多晶硅栓塞；对多晶硅栓塞进行离子注入；在垂向二极管上填充牺牲电介质层；...
18、相变随机存取存储器的制造方法
[简介]： 本套资料主要内容为新材料与微电子技术交叉领域一种非易失性阻变存储器结构及其制备方法。该结构包括硅衬底，以及在所述硅衬底上依次覆盖的氧化硅电介质层、钛粘附层、铂底电极层、第一氧化锌电介质层、钨纳米晶电荷存储层、第二氧...
19、一种非易失性阻变存储器结构及其制备方法
[简介]： 本套资料揭示用于具有浮动主体的存储器单元的方法、装置及系统。存储器单元可包含晶体管，所述晶体管在绝缘层上方且包含源极及漏极。所述存储器单元还可包含浮动主体，所述浮动主体包含定位于所述源极与所述漏极之间的第一区...
20、关于具有浮动主体的存储器单元的方法、装置及系统
[简介]： 本套资料涉及一种降低相变存储器单元操作功耗的方法，包括如下步骤：1在SiO2Si基片上涂覆BaTiO3或SrTiO3电介质薄膜；2将步骤1中制备的涂覆有电介质薄膜的SiO2Si基片退火处理，制得具有缓冲层的SiO2Si基片；3在步骤...
21、相变存储器结构及方法
22、相变存储器结构及方法
23、相变存储器结构及方法
24、垂直型非易失性存储器器件及其制造方法
25、用于非易失性存储器的第一层间电介质堆叠
26、非易失性半导体光折变存储器结构
27、存储器装置、存储器装置构造、构造、存储器装置形成方法、电流传导装置及存储器单元编程方法
28、存储器中的钨二氧化硅交界面的衬垫
29、印刷非易失性存储器
30、电阻式存储器及处理电阻式存储器的方法
31、磁性隧道结MTJ存储元件和具有MTJ的自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM单元
32、自适应和自校准的多级非易失性存储器
33、强电介质存储器装置及电子设备
34、存储器单元、存储器单元构造及存储器单元编程方法
35、具有高压晶体管、非易失性存储器晶体管及逻辑晶体管的半导体器件的制造方法
36、非易失性存储器结构及其形成方法
37、存储器晶胞、集成电路
38、具有中继器件的存储器元件
39、隔离的相变存储器单元及其制造方法
40、集成电路及其制作方法、固态存储器模块和计算机系统
41、强电介质存储器装置以及电子设备
42、强电介质存储器装置以及电子设备
43、使用高K电介质中的空*捕集的存储器
44、最小化对存储器阵列及支持电路的位干扰及电压耐受要求的用于对N沟道金属氧化物半导体电可擦除可编程只读存储器单元阵列进行编程及擦除的方法
45、存储器
46、具有平坦化碳纳米管层的存储器单元及其制造方法
47、强电介质膜和其制造方法、强电介质电容器、强电介质存储器
48、多个反熔丝存储器单元以及形成、编程和测试该器件的方法
49、具有电极层处理的相变随机存取存储器的制造方法
50、具有高介电常数顶部电介质的电介质存储器存储单元及其方法
51、存储器单元结构和方法
52、单极阻变器件、单极阻变存储器单元及制备方法
53、一种具有复合氮基介质隧穿层的TN-SONOS存储器
54、MFS型场效应晶体管及其制造方法、强电介质存储器及半导体装置
55、一种非挥发性存储器结构及其制造方法
56、有较小主动与接触区域的电阻随机存取存储器的制造方法
57、强电介质存储器、半导体装置、强电介质存储器的制造方法以及半导体装置的制造方法
58、形成电容器及动态随机存取存储器器件的方法
59、一次性可编程存储器、存储电容器及其制造方法
60、在存储器阵列与周边逻辑元件上形成硅化物的结构及方法
61、制造非易失性存储器件的方法
62、制造非易失性存储器件的方法
63、用于增加存储器密度的方法、结构及装置
64、控制具有第二控制栅极的DRAM存储器单元的方法
65、交差点型强电介质存储器
66、用于嵌入式EEPROM中的一次可编程存储器器件的结构与方法
67、非易失性存储器件及其制造方法
68、半导体存储器件及其制造方法
69、具有非易失存储器的半导体装置及其制造方法
70、非易失性存储器件的图案及其形成方法
71、纳米结构柔性电极和使用该柔性电极的能量存储器
72、纵向相变存储器单元及其制造方法
73、电阻式随机存取存储器单元
74、强电介质层及其制法、强电介质电容器及强电介质存储器
75、非易失性存储器件及其形成方法
76、非易失性存储器件及其制造方法
77、非易失性存储器件及其制造方法
78、具有栅极电介质结构易失性存储器的晶体管及其制造方法
79、具有电介质击穿可编程性的只读存储器阵列
80、强电介质存储器的加速试验方法
81、存储器阵列的接触方案及其制造方法
82、存储器阵列的接触方案及其制造方法
83、非易失性存储器件及其制造方法
84、具有选择晶体管的电可擦可编程只读存储器及其制造方法
85、用以制造磁性随机存取存储器的系统及方法
86、具有自对准浅沟槽隔离的电可擦除可编程只读存储器阵列
87、利用反向自对准过程制造双ONO式SONOS存储器的方法
88、浮动栅极非易失性存储器及其制作方法
89、利用改变字线条件来补偿较慢擦除的存储器单元以擦除非易失性存储器
90、具有多层级架构的快闪存储器
91、包括竖直立柱的存储器件及制造和操作该存储器件的方法
92、非易失性存储器件
93、制造非易失性存储器件的方法
94、3D结构非易失性存储器件及其制造方法
95、强电介质存储器
96、非易失性存储器件及其制造方法
97、非易失性存储器件的电容器
98、非易失性存储器件及其制造方法
99、强电介质存储器装置及其驱动方法
100、非易失性存储器件及其制造方法
101、高电容率低漏电的电容器和能量存储器件及其形成方法
102、高电容率低漏电的电容器和能量存储器件及其形成方法
103、浮动栅极存储器装置和制造
104、一次可编程存储器的结构及其制造方法
105、相变存储器单元器件的制备方法
106、两种存储器类型的集成
107、半导体存储器
108、消除磁性随机存取存储器器件结构中的电短路的干法蚀刻停止工艺
109、非易失性存储器单元及其控制方法
110、制造非易失性存储器件的方法
111、多级快速电可擦可编程只读存储器单元及其制造方法
112、垂直型非易失性存储器件及其制造方法
113、具有真空夹层的相变存储器元件
114、具有垂直写线的磁阻式随机存储器
115、制造非易失性存储器件的方法
116、非易失性存储器件及其制造方法
117、具有高移动性波形沟道的TFT电荷存储存储器单元和其制造方法
118、形成NAND快闪存储器的源接触的方法
119、强电介质半导体存储器
120、非易失性存储器件及其制造方法
121、擦除效率改善的非易失存储器及其制备方法
122、擦除效率改善的非易失存储器及其制备方法
123、强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装置及半导体装置制造方法
124、强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装置及半导体装置制造方法
125、用于存储单元阵列的具有三维选择结构的存储器件
126、反铁磁顺磁电阻器件、非易失性存储器及其制造方法
127、电介质存储器及其制造方法
128、存储器电路
129、用于使用Al2O3电介质的存储器单元的隔离结构
130、半导体存储器件及其电容器的形成方法
131、电荷收集存储器单元阵列及其制造方法
132、非易失性存储器件及其制造方法
133、制作磁移位寄存器式存储器装置中使用的数据磁道的方法
134、制造快闪存储器件的方法
135、非易失性存储器件及其制造方法
136、非易失性存储器件及其制造方法
137、非易失性存储器件及其制造方法
138、非易失性存储器件及其制造方法
139、非易失性存储器及其制造方法
140、减少了位线与字线短路效应的交叉点铁电存储器
141、强电介质电容器及其制造方法、强电介质存储器及压电元件
142、强电介质电容器及其制造方法、强电介质存储器及压电元件
143、制造3D非易失性存储器件的方法
144、强电介质材料、其膜、电容器及它们的制法、强电介质存储器
145、强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件、强电介质膜的制造方法、和强电介质电容器的制造方法
146、开关器件和包括所述开关器件的存储器件
147、掩埋磁隧道结存储器单元和方法
148、3D非易失性存储器件及其制造方法
149、电子器件用基板、电子器件、强电介质存储器、电子器械、喷墨式打印头和喷墨式打印机
150、存储器件和使用及制造该器件的方法
151、存储器件及其制造方法
152、多值的磁阻写读存储器以及该存储器的读写方法
153、平面聚合物存储器件
154、具有凹陷浮动栅的闪速存储器器件及其制造方法
155、分立栅存储器件的形成方法
156、非易失性半导体存储器
157、具有环绕堆叠栅鳍式场效应晶体管存储器件及形成方法
158、氧化物电介质元件的制造方法、采用该元件的存储器及半导体装置
159、非易失性存储器件及其制造方法
160、半导体存储器件的制造方法
161、具有肖特基隧道势垒的带存储器的开关元件
162、具有肖特基隧道势垒的带存储器的开关元件
163、存储器件及其制造方法
164、存储器单元装置及其制造方法
165、铁电半导体存储器的制法
166、用于制作没有阻挡层的半导体存储器装置的方法
167、用于制作无阻挡层的半导体存储器装置的方法
168、形成于通孔中的聚合物存储器件
169、磁电阻式随机存取存储器件结构及其制造方法
170、铁电存储器集成电路的高质量铅锆钛酸盐膜的制造工艺
171、非易失性存储器件
172、隧道绝缘层中具有间隙的非易失性存储器件及其制造方法
173、半导体存储器件
174、与非型快闪存储器件的制造方法
175、使用无定形碳制造半导体存储器件的电容器的方法
176、具有沟槽型选择栅极的快闪存储器及制造方法
177、电荷捕获存储器件以及用于操作和制造该单元的方法
178、用绝缘体附硅方法制造的动态随机存取存储器及制造方法
179、含有电容器的半导体存储器件的制造方法
180、读出放大器系统和提供有读出放大器的矩阵可寻址存储器件
181、静态随机存取存储器
